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| 논문에 참여한 혁신센터 CSE팀과 SAIT 연구진 (좌측부터) SAIT 양승열 Master와 오영택 님, 혁신센터 CSE팀 김대신 상무, 최운이 님, 손원준 파트장, 권의희 DE(Distinguished Engineer).(사진=삼성전자) |
삼성전자가 기술 난제였던 플래시 메모리 저장 원리를 밝혀내는 데 성공했다.
삼성전자는 자사 혁신센터 CSE(Computational Science and Engineering)팀이 세계 정상급 학술지인 ‘어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials)’에 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 게제했다고 14일 밝혔다.
혁신센터 CSE팀은 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨터를 활용해 반도체 공정, 메모리를 비롯한 다양한 소자의 전기적 특성과 소재의 다양한 특성을 시뮬레이션하는 부서다.
플래시 메모리는 전원이 끊겨도 데이터를 보존할 수 있도록 돕는 메모리 반도체다. 플래시 메모리의 근본적인 저장 매커니즘은 연구가 계속되고 있는 분야다.
특히 비정질 실리콘 질화물에 전자를 안정적으로 잡아 두는 것이 저장원리인데 그 구체적인 애용에 대해서는 해당 연구 전까지는 규명되지 못했다.
이번 연구에서 기존과 기존과 차별화된 접근방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 원리를 밝히는 데 성공한 것이다.
삼성전자는 “그동안 간과해 왔던 원자수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 의미가 있다”며 “다른 주변 기술들과 점진적인 시너지 효과를 일으켜 인공지능과 같은 핵심기술의 진보를 앞당길 수 있으리라 생각한다”고 전했다.
전화평 기자 peace201@viva100.com
