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| 젠슨 황의 ‘미소’ 엔비디아의 젠슨 황 CEO가 18일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 열린 ‘AI 개발자 콘퍼런스(GTC 2024)’에서 차세대 AI 반도체 ‘블랙웰(B200)’ 등 신제품들을 선보이고 있다.(사진=연합뉴스) |
글로벌 AI 반도체 리더 미국 엔비디아가 차세대 AI칩 아키텍처(반도체 설계도) ‘블랙웰(B200)’을 19일 공개했다. 올해 출시 예정인 이 칩은 이전 세대 대비 비용과 에너지 소비가 최대 25배나 낮다. 글로벌 메모리 업계 빅3인 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론은 ‘AI 개발자 콘퍼런스(GTC 2024)’에서 나란히 차세대 HBM을 선보였다.
이 자리에서 젠슨 황 엔비디아 CEO(최고경영자)는 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP 센터에서 5년 만에 GTC 2024를 열고 “블랙웰(B200)은 새로운 산업 혁명을 구동하는 엔진이 될 것”이라고 선언했다. 블랙웰은 AI 반도체 아키텍처로 같은 날 공개된 AI칩 ‘B200’ 설계의 기반을 담당한다. 게임 이론과 통계학을 전공한 수학자이자 흑인으로는 최초로 미국국립과학원에 입회한 데이비드 헤롤드 블랙웰(David Harold Blackwell)을 기리기 위해 붙여진 이름이다. 이 아키텍처는 2년 전 출시된 엔비디아 호퍼(Hopper) 아키텍처의 후속 기이다.
블랙웰을 통해 구현된 차세대 AI 칩인 B200은 품귀현상까지 일어났던 H100보다 2배 이상 강력한 성능을 자랑한다. 800억개의 트랜지스터가 적용된 H100의 2.5배 많은 2080억개의 트랜지스터를 탑재한 것이다. B200을 엔비디아 그레이스 CPU연결한 GB200은 H100보다 성능은 30배 높으면서도 비용과 에너지 소비는 최대 25배 낮다.
황 CEO는 “현재 기술로는 이 많은 트랜지스터를 넣을 수 없기 때문에 실제로는 두 개의 칩을 연결해 하나인 것처럼 원활하게 작동하는 플랫폼 전략을 추구했다”고 설명했다.
같은 날 메모리 업계는 GTC 2024에서 HBM 신제품 실물을 공개했다.
메모리 1위 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 고대역폭 메모리 HBM(HBM3E) 실물을 전시했다. 그동안 HBM 시장 선점 경쟁에서 SK하이닉스에 밀렸다는 평가를 받아 온 삼성전자는 지난 2월 업계 처음 HBM3E 12H(12단) 개발에 성공했다고 밝힌 바 있다.
SK하이닉스는 HBM3E 12H 실물 공개와 함께 대량 양산 사실도 함께 공개했다. HBM3E가 대량으로 양산돼 고객사에 납품된 것은 이번이 처음이다. 회사는 엔비디아 GPU에 탑재되는 HBM3를 사실상 독점 공급하며 HBM 시장 주도권을 쥐고 있다. 마이크론은 3월 말부터 엔비디아에 HBM3E를 공급할 예정이다.
시장에서는 이들 3사 간 HBM 승부에서 한동안 SK하이닉스 우위를 전망하고 있다. 그 근거로 마이크론은 SK나 삼성에 비해 떨어지는 생산 능력(CAPA)이 발목을 잡을 것이고, 삼성전자는 최근 엔비디아의 최종 퀄 테스트를 통과하지 못했다는 부분을 들고 있다.
한편 시장조사기관 트렌드포스는 D램 시장에서 HBM 매출 비중이 2023년 8.4%에서 2024년 말에는 20.1%를 기록, 2배 이상 늘어날 것으로 전망했다.
전화평 기자 peace201@viva100.com
